氮化硅有何特点？麻豆视频APP免费版设备是如何刻蚀氮化硅的？
文章导读：氮化硅，即Si3N4，是目前较为热门的新材料之一，其具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特色，在诸多范畴都有运用。在晶圆制作中，氮化硅是能够代替氧化硅使用的。
氮化硅（Si3N4）的材料特点：氮化硅是当前较为热门的新材料之一，具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特点，在诸多范畴都有使用。在晶圆制作中，氮化硅可代替氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圆外表形成十分薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，使用zui为广泛的描绘薄膜厚度的单位是埃），厚度约在数十埃，保护外表，防止划伤，此外其杰出的绝缘强度和抗氧化才能也能够很好地达到阻隔的作用。氮化硅的流动性不如氧化物，因此较为难以刻蚀，采用等离子外表处理设备的刻蚀工艺可以克服刻蚀上的难点。
等离子体刻蚀是通过化学作用或者物理作用，又或者是物理和化学的共同作用来完成的。反应过程是通过反应腔室内的气体通过辉光放电，从而形成包含离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，因其具有扩散性，会吸附到介质的表面，从而与介质表面原子发生化学反应，形成挥发性物质。与此同时，高能离子会在一定压力下对介质表面进行物理轰击以及刻蚀，来去除再沉积的反应产品和聚合物。经过化学和物理的共同作用来完成对介质层的刻蚀。
等离子体刻蚀在晶圆制作工艺中是非常重要的一种，也是微电子IC制作工艺以及微纳制作工艺中的一种相当重要的步骤，一般是在光刻胶涂布以及光刻显影之后，通过将光刻胶作为掩膜，等离子体经过物理溅射和化学作用来将麻豆精品国产传媒并不需要的金属去除，光刻胶在这过程中就相当于反应的保护膜，其意图是为了构成与光刻胶图形相同的线路图形。麻豆视频APP免费版设备的刻蚀工艺是目前主流的干式刻蚀，因其具有较好的刻蚀速率以及良好的方向性，现在已逐步代替传统的湿法刻蚀。
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